Beijing, Bolong.id - Sebuah tim peneliti Tiongkok telah mengembangkan perangkat memori flash revolusioner yang dapat menyimpan data pada kecepatan satu bit per 400 pikodetik, mencetak rekor baru untuk perangkat penyimpanan semikonduktor tercepat yang pernah dilaporkan.
Dilansir dari 央视新闻, dinamakan "PoX," memori nonvolatil ini bahkan mengungguli teknologi memori volatil tercepat, yang memerlukan waktu sekitar 1 hingga 10 nanodetik untuk menyimpan satu bit data. Pikodetik adalah seperseribu nanodetik atau sepertriliun detik.
Memori volatil seperti SRAM dan DRAM, yang kehilangan data saat kehilangan daya, tidak cocok untuk sistem berdaya rendah, sementara memori non-volatil seperti flash, meskipun hemat energi, gagal memenuhi tuntutan akses data berkecepatan tinggi dari AI.
Para peneliti di Universitas Fudan mengembangkan memori flash saluran grafen Dirac dua dimensi menggunakan mekanisme inovatif, yang memecahkan batas kecepatan penyimpanan dan akses informasi non-volatil.
Hasilnya dipublikasikan pada hari Rabu di jurnal Nature.
"Dengan menggunakan algoritma AI untuk mengoptimalkan kondisi pengujian proses, kami telah memajukan inovasi ini secara signifikan dan membuka jalan bagi aplikasi masa depannya," kata Zhou Peng, peneliti utama studi dari Universitas Fudan.
"Ini adalah karya asli dan kebaruannya cukup untuk merancang memori flash berkecepatan tinggi yang potensial di masa depan," komentar peninjau sejawat jurnal tersebut. (*)
Informasi Seputar Tiongkok
Advertisement
